Thin films of chalcogenide materials with a phase transition are used in photonics, non-volatile memory, and neuromorphic computing. Differential scanning calorimetry (DSC) is one of the main methods for studying the chalcogenide materials thermal properties. However, the common sample preparation utilizing materials in powder form does not provide results suitable to define processes on thin films correctly. A sample preparation method for DSC thin-film samples measurements was proposed in this work. A comparison of the results obtained by the traditional and proposed method including the temperature dependence of thin films resistance showed the following results. The crystallization temperature values gained by the suggested method have been close to the values obtained in the resistance temperature dependence test. Thus the method provides higher accuracy.
Тонкие пленки халькогенидных материалов с фазовым переходом применяются в фотонных интегральных схемах, электрической фазовой памяти, нейроморфных вычислениях. Анализ тепловых эффектов методом дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК) – один из основных этапов изучения свойств халькогенидных материалов. Как правило, для исследования методом ДСК используются материалы в виде порошка. Результаты таких исследований не в полной мере отражают процессы, происходящие в тонких пленках. В работе предложен метод пробоподготовки для ДСК-измерений тонкопленочных образцов. Проведено сравнение результатов, полученных разными методами пробоподготовки, включая температурную зависимость удельного сопротивления тонких пленок. Выяснено, что значения температуры кристаллизации, полученные с использованием рассмотренных методов, близки к результатам исследования температурной зависимости удельного сопротивления. Предложенный метод пробоподготовки показывает более точные результаты при исследовании тонкопленочных материалов.